据韩媒etnews引述业内人士报道，SK海力士已将其无锡工厂的现有1z工艺升级为1a工艺。

目前，SK海力士无锡工厂基于12英寸晶圆的DRAM月产能为18万至19万片，其中约90%的产能为1a工艺。无锡工厂的产量占SK海力士DRAM总产量的30%至40%。

1a DRAM 需要采用极紫外 (EUV) 光刻技术，受出口限制影响，EUV设备无法进口到中国。作为替代方案，SK 海力士采用了在韩国完成精细电路实现所需的 EUV 工艺，在无锡完成剩余工序的方法。尽管工艺复杂且物流成本高昂，但无锡工厂转型为 1a 工艺生产线被视为对其至关重要的体现。

与此同时，SK海力士预计将加快其韩国DRAM晶圆厂向1c工艺的升级改造。1c升级的投资将集中在位于利川的M14和M16晶圆厂。其未来的生产结构将是：通用DRAM产品在中国生产，而尖端DRAM产品在韩国生产。

另外，SK海力士美国法人长柳成洙（音译）近日在接受路透社采访时透露，SK海力士将在 2027 年 2 月提前3个月开放韩国龙仁新园区的首家工厂。同时，计划从下月起在清州新建的 M15X 工厂投放硅晶圆，正式启动HBM芯片的生产。