据韩媒thelec报道，SK海力士将其位于韩国清州的M15X新工厂的量产比原计划提前4个月。此举被解读为抢先应对英伟达下一代AI加速器"Rubin"对HBM4的需求。

报道称，SK海力士将从明年2月开始在M15X工厂启动用于HBM4的1b DRAM量产晶圆的投入。原计划量产晶圆投入时间为6月。初期将投入约1万张晶圆起步，年底将生产规模扩大至数万张。业界相关人士表示："目前设备投入与安装正在积极进行，计划调整是为了能够以更快速度、更大规模进行量产。"

SK海力士之所以加快M15X的生产进度，是为了满足英伟达的需求。搭载HBM4的Rubin加速器预计将于明年下半年出货。SK海力士目前已经完成了1b HBM4工艺的认证，其采用改进型电路的HBM4晶圆将于本月底完成晶圆制造，并于明年1月初向英伟达交付其下一代12层HBM4内存的最终样品。

近日有报道称，在英伟达Vera Rubin的HBM4性能测试中，三星电子在运行速度和能效方面取得了所有内存制造商中的最佳成绩。美光在其最新财报中指出，其HBM4将在2026日历年第二财季按计划量产并实现高良率产能爬坡。

英伟达预计将于明年初做出最终的HBM4供应商选择和供货比例决定。