据韩媒dealsite报道，SK海力士采用改进型电路的HBM4晶圆将于本月底完成晶圆制造，并于明年1月初向英伟达交付其下一代12层HBM4内存的最终样品。

今年9月，SK海力士向英伟达提供了首批HBM4客户样品。为了满足英伟达紧迫的开发进度，SK海力士甚至调整了其惯常流程，跳过了内部预发布评审（PRA），直接交付了样品。

因此，在后续的认证流程出现了一些需要改进的地方。在系统级封装（SiP）测试中，暴露了速度和可靠性问题。具体而言，为了在提升速度的过程中减少结构限制，电路线路设计需要进行修改。

SK海力士通过与英伟达、台积电“三方合作”，包括共享缺陷数据，已查明导致缺陷的具体机制。报道称，该缺陷对工艺良率没有造成重大影响。SK海力士将按原计划推进HBM4的大规模量产。

如果SK海力士明年1月初能够提交更多优化后的样品，且质量测试能够迅速完成，预计将于2-3月开始全面量产，产能提升在第二季度将得以启动。

对此，SK海力士表明，对客户相关事宜不予置评。