SK海力士12日宣布，已成功完成面向AI的超高性能存储器新产品HBM4*的开发，并在全球首次构建了量产体系。

* 高带宽存储器（HBM，High Bandwidth Memory）：垂直连接多个DRAM，与现有的DRAM相比显著提升数据处理速度的高附加值、高性能产品。HBM DRAM产品以HBM（第一代）-HBM2（第二代）-HBM2E（第三代）-HBM3（第四代）-HBM3E（第五代）-HBM4（第六代）的顺序开发。

SK海力士表示：“公司成功开发将引领人工智能新时代的HBM4，并基于此技术成果，在全球首次构建了HBM4的量产体系。此举再次向全球市场彰显了公司在面向AI的存储器技术领域的领导地位。”

SK海力士HBM开发担当赵珠焕副社长表示：“HBM4的开发完成将成为业界新的里程碑。公司将及时为客户提供在性能、能效和可靠性方面都满足需求的产品，以此巩固在面向AI的存储器市场的竞争优势，并缩短产品上市时间（Time to Market）。”

随着AI需求和数据处理量剧增，为实现更快的系统速度，对高带宽*存储器的需求也在激增。此外，数据中心巨大的耗电使得其运营负担日益加重，存储器的能效已成为客户所要求的关键因素。借此，SK海力士有望提升带宽和能效的HBM4将成为满足要求的最佳解决方案。

* 带宽（Bandwidth）：HBM产品中的带宽，是指一个HBM封装每秒可处理的数据总容量

这次全新构建量产体系的HBM4采用了较前一代产品翻倍的2048条数据传输通道（I/O），将带宽扩大一倍，同时能效也提升40%以上。凭借这一突破，该产品实现了全球最高水平的数据处理速度和能效。SK海力士预测，将该产品引入客户系统后，AI服务性能最高可提升69%，这一创新不仅能从根本上解决数据瓶颈问题，还可显著降低数据中心电力成本。

与此同时，此次HBM4实现了高达10Gbps（每秒10千兆比特）以上的运行速度，这大幅超越JEDEC*标准规定的8Gbps（每秒8千兆比特）。

* JEDEC（Joint Electron Device Engineering Council）：国际半导体器件标准组织，该组织决定半导体器件的规格 

SK海力士在HBM4的开发过程中采用了产品稳定性方面获得市场认可的自主先进MR-MUF*技术和第五代10纳米级（1b）DRAM工艺，最大程度地降低其量产过程中的风险。

* 批量回流模制底部填充（MR-MUF，Mass Reflow Molded Underfill）：在堆叠半导体芯片后，为了保护芯片间的电路，在其中填充液体保护材料，使其固化。有评价称，与每堆一个芯片就铺设薄膜型材料的方式相比，该技术提高了效率和散热效果。特别是SK海力士的先进MR-MUF技术，较现有技术减少了芯片堆叠时所施加的压力，提高了芯片的翘曲控制力(Warpage Control)，这是确保HBM稳定量产的关键。

SK海力士AI Infra担当金柱善社长（CMO，Chief Marketing Officer）表示：“此次正式宣布全球率先构建量产体系的HBM4，不仅是突破AI基础设施极限的一个标志性转折点，更是可解决AI时代技术难题的核心产品。”又表示：“公司将及时供应AI时代所需的最高品质和多样化性能的存储器，致力成为‘全方位面向AI的存储器供应商（Full Stack AI Memory Provider）’。”