据韩媒引述业内人士消息，三星电子已完成D1c DRAM“生产准备批准（PRA）”，即量产审批流程。在完成设计等开发流程，并达到目标性能和一定良率后，将转入量产。

自去年全永铉就任DS部门负责人以来，三星电子开始检验DRAM竞争力，并改进整体设计。D1c DRAM也经历了设计变更，并于近期确保了目标性能和有意义的良率。据悉，为提高良率，还采用了“干光刻胶（PR）”等新材料和技术。

三星电子预计将通过逐步提高D1c的生产比例，同时降低上一代产品的比例，来确保稳定的量产良率。通常，量产转移后的初始良率约为50%，而达到80%-90%的稳定良率大约需要6个月的时间。

三星电子计划在D1c DRAM生产之外，继续进行转换投资。报道称，三星电子已与其材料、零部件和设备合作伙伴就投资D1c DRAM量产线展开洽谈。

此前有报道称，三星电子已制定计划在韩国华城工厂建设1c DRAM生产线，预计该项投资最早将于今年年底完成。此前，三星电子在平泽第四园区（P4）建设第一条1c DRAM量产线，规划产能为每月3万片。

三星电子1c DRAM将搭载在HBM4上，在下一代存储器业务中具有非常重要的意义。三星电子近期已向AMD供应12层HBM3E，并正在探索向英伟达供应。三星电子还正在与多家客户合作开发定制产品HBM4。三星电子预计，HBM4 将从明年开始为销售额做出贡献。