继11月21日SK海力士宣布开始量产321层NAND闪存后，据韩媒报道，三星电子已在其半导体研究所成功完成400层NAND技术，并已于上月开始将这项先进技术转移到平泽园区一号工厂的大规模生产线上。报道称，目前NAND研发阶段的晶圆良率为10-20%，该技术成功转移到生产线对于实现更高的产量和满足市场需求至关重要。

报道称，三星电子计划于明年2月在ISSCC上详细发布其1Tb容量400层TLC NAND，其量产预计将于明年下半年开始，但业界预测，如果加快进程，生产可能会在第二季度末开始。

除了400层NAND之外，三星电子明年还将增加其先进产品线的产量。三星计划在平泽园区安装新的第9代（290层）生产设施，月产能为30,000至40,000片晶圆。此外，在中国西安工厂，三星将继续进行产线转换，将128层（V6）NAND生产线转换为236层（V8）工艺。

随着存储原厂NAND制程相继迭代，终端加速导入新制程NAND产品，200层以上NAND的供应增加，高密度NAND在市场应用中逐步取得进展。三星236层V8 TLC NAND产能放量增长，同时290层V9 TLC/QLC NAND开始量产；SK海力士扩大238层NAND在企业级SSD的应用，并推出321层NAND Flash；铠侠及西部数据推动218层BiSC8 NAND加速在OEM厂商的导入，采用BiSC8和CMOS键合技术生产的2Tb QLC NAND已开始送样；美光量产276层G9 TLC NAND，并已在面向客户端OEM的SSD中采用。

来源：CFM闪存市场

另据CFM闪存市场数据显示，三星电子第三季度在全球 NAND 闪存市场占据 32.9%的市场份额。