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三星4nm工艺遇阻,欲大力投资3nm工艺弯道超车台积电,GAA技术是关键

Andrew 2022-03-16 16:00

据韩媒报道,近期三星电子正在筹备在平泽P3工厂建设3nm晶圆制造产线,计划在今年夏天引入相关设备。

市场消息称,由于三星电子在4nm制程良率低,正面临供需困境。高通将把第一代骁龙8的后继机型处理器交给台积电代工。

据悉,三星为了克服危机将大力推动3nm制程实现质的飞跃,争取在与台积电的竞争中抢先一步,知情人士称,三星电子将在今年下半年试产第一代3nm制程产品,并开始量产第二代3nm制程,明年将正式大规模量产3nm产品。

另一方面,台积电将原定于今年7月份量产计划推迟了几个月。而三星正欲通过加大投资力度,缩小与台积电的差距。

其中包括,三星在今年上半年将GAA(环绕式栅极技术晶体管)技术引入3nm制程工艺,相比7nm FinFET,功耗降低50%,芯片面积减少45%,性能可提升35%。

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