有媒体报道，三星决心在2022年推出3nm制程工艺产品，并对晶体管技术进行重大改造（简称MBCFET），该新技术可以更好的控制晶体管通道，防止电荷泄露问题。

值得注意的是，MCBFET是GAAFET的一部分，就MCBFET性能而言，三星表示该技术将减少50％的功耗，同时提供30％的性能。密度预测也将大大提高，三星公司预测，每一个晶体管占用的硅空间将减少约45％。

与普通的FinFET相比，该技术允许将晶体管堆叠在彼此的顶部，从而使其固有地使用更少的空间。MCBFET GAA晶体管可灵活调节其晶体管宽度，这意味着整个堆叠晶体管的宽度可达到设计人员所需的宽度。