三星电子在美国圣克拉拉举行的2026年未来存储与内存大会(FMS)上，公布其最新的AI内存产品组合和技术路线，展示业界首款zHBM、zNAND-O概念产品、400层以上V10BV-NAND，以及一系列旨在推进未来AI基础设施发展的综合解决方案。

zHBM与zNAND-O：定义下一代3D内存的想象边界

三星首次亮相的zHBM概念模型，颠覆了传统HBM与AI处理器并排放置的设计思路，将HBM垂直堆叠于加速器之上，极大缩短数据传输距离。zHBM专为高级AI计算设计，旨在提供更高带宽和能效。据介绍，采用zHBM的下一代接口系统，预计可实现HBM5约8倍的性能。配合下一代晶圆键合技术，zHBM存储密度可达到HBM5的10倍以上，能效提升3倍，热阻降低超一半，为大容量、高带宽系统提供稳定且高效的支撑。同时，zHBM支持客户定制化设计，允许在存储与加速器之间的夹层中集成专属IP，进一步扩展容量和提高性能。

三星还推出了基于其V-NAND技术的下一代高性能NAND解决方案zNAND-O，目前正在开发四层和八层版本。zNAND-O兼具高空间利用率、更佳的I/O性能和低延迟，专为支持实时、数据密集型AI应用的边缘AI环境而优化。

V10 BV-NAND：13年后再次定义NAND里程碑

距三星在2013年FMS上首次推出V-NAND技术已过去13年。此次FMS上，三星发布了采用全新键合式V-NAND架构的V10 BV-NAND闪存。该产品堆叠层数超过400层，通过晶圆键合技术实现存储单元堆叠，其存储密度相较上一代产品V9提高约58%。不仅如此，V10 BV-NAND在读取、写入及I/O性能上均实现代际跃升，为未来AI系统与高要求应用提供高性能、大容量的NAND支持。

完整AI内存路线图揭晓：从HBM到PIM和企业级存储

三星同步展出包括HBM4E、HBM5、LPDDR5X-PIM和PM1763等在内的最新AI内存与存储产品组合，重点介绍了其下一代 AI 计算和数据中心基础设施的路线图。

继今年2月基于1c DRAM与4nm基础裸片技术实现业界首次HBM4量产后，三星于5月向全球客户开始交付HBM4E样品，巩固了其在HBM领域的领先地位。

此外，会上亮相的LPDDR5X-PIM，是业内首款集成存内处理（PIM）技术的LPDDR内存。该方案旨在内存内部进行数据处理，从而提高数据传输效率并降低功耗。

企业级存储方面，PM1763与BM1773等新品也在展会上一并展出，直指AI数据中心日益增长的存储需求。