兆易创新近日推出新一代高性能双电压xSPI NOR闪存产品——GD25NX系列。该系列闪存采用1.8V内核和1.2V VI/O设计，无需外部升压电路即可直接连接到1.2V系统级芯片（SoC），从而显著降低系统功耗和物料清单成本。

GD25NX系列SPI NOR Flash支持八通道SPI模式，最高时钟频率为STR 200 MHz，DTR 200 MHz，实现高达400MB/s数据吞吐量。该系列的写入时间典型值为0.12ms，扇区擦除时间为27ms，其与常规1.8V八通道Flash相比，写入速度提升30%，擦除速度提升10%。为保障数据可靠性，GD25NX系列集成ECC算法与CRC校验功能，有效增强数据完整性并延长产品使用寿命。同时，该系列支持DQS功能，为高速系统设计提供完整信号保障，满足数据中心和汽车电子等高稳定性应用需求。

兆易创新GD25NX系列提供64Mb和128Mb两种容量选择，支持TFBGA24 8x6mm (5x5 ball array)以及WLCSP (4x6 ball array)封装形式。目前，128Mb的GD25NX128J产品已开放样片，64Mb容量的GD25NX64J样片正在同步准备中。