韩国半导体设备商韩美半导体宣布，其用于高带宽存储器 (HBM) 的混合键合机预计将于2027年上市，用于片上系统 (SoC) 的混合键合机预计将于 2028 年上市。

与目前使用凸块垂直堆叠HBM DRAM的热压键合 (TC) 设备不同，该混合键合机可以直接将芯片键合在一起，可减少HBM 厚度并减少信号损耗。预计该设备将于 2027年投入生产20层第六代 HBM (HBM4)。 

此外，韩美半导体还宣布，已完成AI半导体设备技术的开发，并计划将该技术引入包括HBM4生产设备“TC Bonder 4”在内的未来推出的所有设备中。