据业界消息，三星电子计划于本月第四周开始在韩国器兴“NRD-K”项目引进设备，预计将加速下一代存储器的开发，特别是1d DRAM和V11、V12 NAND。

NRD-K项目是三星电子在器兴园区建设的下一代半导体研发综合体，尖端半导体工艺的研究、生产和分销均在此进行。到2030年三星电子将对该综合体投资约20万亿韩元（约合145.7亿美元）。

NRD-K项目一期洁净室建设于去年底开始，近期设备引进准备工作也已部分完成。以NRD-K生产线的开通为起点，三星电子有望加速转型，在下一代半导体技术领域占据领先地位。

目前，三星电子正在开发各种尖端的半导体前处理和后处理技术，例如CXL（Compute Express Link）、PIM（内存处理）、硅光子学、BSPDN（背面供电）、 3D堆叠和小芯片。其中，预计将成为三星电子未来增长引擎的1d DRAM（第7代10纳米级DRAM）以及超过500层的NAND V11和V12很可能是NRD-K的首要目标。

三星电子计划于2027年推出V11 NAND，进一步发展其堆叠技术，数据输入和输出速度将提高50%。其目标是到2030年开发超过1,000层的NAND芯片， 以实现更高的密度和存储能力。

NRD-K目前仅获得临时使用批准， 预计将于明年实现全面运营。