近期，日本半导体设备厂商佳能宣布开卖采用纳米压印(Nano-imprint Lithography，NIL) 技术的微影设备FPA-1200NZ2C，佳能表示纳米压印微影设备可用来生产现行最先进的5nm芯片，期望改良后可进一步用来生产2nm产品。

据悉，纳米压印跟封蜡印章的原理类似，先在表面涂光刻胶，再用做好的光罩模具压下，就可以做出像要的图案，因为纳米压印的模具能够重复压印，适用于大量制作光盘、芯片及太阳能电池内的微细结构。佳能为纳米压印技术研发出最佳的光刻胶材料，以及用于压印的纳米级对准技术，还实现清洁半导体的微粒控制技术，相较于已商用化的EUV技术，纳米压印技术的耗电量只需 EUV 的十分之一，金额只需EUV的40%，大幅减少耗能，并降低设备成本。

由于纳米压印技术需使用软性材质的光刻胶材料，适合使用在规则性结构如DRAM和NAND FLASH，而逻辑芯片只有少部分的结构可以使用，故纳米压印技术仍无法完全取代EUV微缩技术。