据韩媒报道，三星电子已确认将其第五代 HBM3E 产品命名为“Shinebolt”，并正在向客户公司发送HBM3E产品Shinebolt原型机进行质量认可测试。该原型机为8层堆叠的24GB芯片，据报道很快就会完成12层堆叠的36GB产品的开发。

Shinebolt 的最大数据传输速度（带宽）比 HBM3 高出约 50%，达到 1.228TB。HBM 被认为是人工智能时代来临之际的下一代 DRAM。三星电子的HBM开发和生产速度有些落后于SK海力士。然而，三星正不遗余力地制定战略，重新夺回先进内存生产的领先地位。

粘合工艺是 HBM 的关键制造步骤，预计将会出现激烈的竞争。三星从 HBM 生产的早期阶段就一直采用热压缩非导电薄膜 (TC-NCF) 方法。它们是否能够超越 SK 海力士从 HBM3 开始采用的先进大规模回流成型底部填充 (MR-MUF) 工艺的效率还有待观察。

三星还在考虑加速开发可能改变 HBM 游戏规则的“混合键合”工艺的策略。