据外媒报导，三星在 Hot Chips 33 上宣布，该公司已开发出业界首款 DDR5-7200 512GB 内存模块。与 DDR4 相比，三星的 DDR5-7400 内存模块在仅 1.1V 的电压下提供了 40% 的更高性能和两倍的容量。

三星 DDR5-7200 内存模块包含与 TSV（硅通孔）技术互连的 8 个堆叠 DDR5 芯片。这是对 DDR4 的巨大改进，DDR4 以前仅限于四个 DDR4 芯片。尽管设计更密集，但与 DDR4 的 1.2 毫米相比，DDR5 堆栈的尺寸仅为 1.0 毫米。利用薄晶圆处理技术，三星能够将芯片之间的间隙减少 40%，从而降低堆叠的高度。

据三星介绍，其已对DDR5-7200 内存模块实施了 Same-Bank 刷新 (SBR)，可将 DRAM 总线效率提升高达 10%此外，还有助于提高信号稳定性的新决策反馈均衡器 (DFE)。

DDR5-7200 内存模块的工作电压为 1.1V，仅为 DDR4 电压的 0.92 倍。得益于高效电源管理 IC (PMIC)、稳压器和高 K 金属栅极工艺，使得提高电源效率成为可能。三星表示，其 PMIC 不仅有助于降低工作电压，而且还降低了过程中的噪音。正如 DDR5 所预期的那样，三星的内存模块带有片上纠错码 (ODECC)，以确保更可靠和安全的数据处理。

三星的 512GB DDR5目标是数据中心和服务器市场。消费类DDR5内存容量可能为64GB。但是，英特尔和 AMD 的下一代平台将支持大容量内存，因此，随着 32GB DDR4 内存条的推出，主流用户可以在一个带有四个 DDR4 插槽的主板上拥有高达 128GB 的内存。假设主流 DDR5 达到 64GB，普通用户也可以拥有高达 256GB 的内存，这是以前在服务器平台之外无法提供的。

三星预计其 DDR4-7200 512GB 内存模块的量产将于 2021 年底开始。该公司认为 DDR5 向主流市场的转变要到 2023 年或 2024 年才会发生。英特尔的第 12 代Alder Lake混合芯片是首批支持 DDR5 的主流处理器，将在 2021 年秋季首次亮相时引领潮流。