资讯中心

返回 主页

内容开始

加速10nm级DRAM量产步伐,SK海力士利川新旧厂同时建设EUV产线

AVA 2020-11-26 11:36

据韩媒报导,SK海力士开始在韩国利川工厂建设极紫外光(EUV)产线,值得关注的是,除了新厂M16外,SK海力士也打算在M14既有产线中导入EUV制程,准备采用EUV制程量产新一代DRAM。

韩国利川是SK海力士DRAM生产大本营,未来预计M14、M16将一同采用EUV设备生产晶圆。业界相关人士表示,在新工厂生产新一代存储器之前,为排除危险因素,SK海力士打算先在现有工厂中尝试制造芯片。

与目前主流的氟化氩(ArF)微影技术相比,EUV光源波长仅是ArF的14分之1,光源的波长越短,在硅基板上雕出来的线宽就越细,有利于让半导体的电路图案越趋微细化,不仅能减少复杂的制造工序,也可以提高半导体生产效率。

SK海力士计划利用EUV技术优势,推动第四代10纳米级(1a)DRAM量产,此前SK海力士CEO李锡熙曾透露EUV制程导入进度:利川M16厂预订在2021年上半投片,2021年下半产品出货。但近期SK海力士敲定相关设备导入日程,外界普遍认为,SK海力士正加快生产EUV DRAM的脚步。

更多资讯

top

深圳市闪存市场资讯有限公司 客服
Copyright©2008-2021 中国闪存市场 版权所有