随着2D NAND技术越来越逼近物理量产极限，2016年Flash原厂均加快导入3D NAND技术。三星为了进一步扩大3D NAND产出，除了大陆西安3D NAND专属工厂外，更是计划将韩国华城Fab16的16nm 2D NAND改造成20nm 48层3D NAND产线，预计将在Q2改造完毕。东芝除了改建的Fab 2将在2016年投产外，还投资建新3D NAND工厂，预计2018年开始投入生产，再加上更新现有的设备，3年内投资金额将达到8600亿日元。

三星、东芝均扩大对3D NAND的投产，美光也加速了3D NAND发展进程，同样也为3D NAND量产新建了一座F10x工厂。目前美光主要以第一代32层3D NAND量产为主，正在积极准备第二代3D NAND，预计堆栈层数也将提高到48层。基于3D NAND更大的容量优势，美光将推出消费类TB级容量的SSD，以及超过8TB容量的SSD满足云计算数据中心存储需求。

据悉，美光将在2016下半年推出一款消费类MX300系列SSD，采用的是美光3D TLC NAND和Marvell 88SS1074控制芯片，该系列SSD容量可望提达到2TB。

进一步了解到，美光3D NAND分别为L06B和B0KB，其中L06B容量为256Gb（32GB），MLC架构设计。B0KB容量为384Gb（48GB），由于是TLC产品，所以采用了ECC纠错能力较高的LDPC提高NAND Flash的耐用性，而美光MX300系列SSD正是采用的型号为B0KB的3D TLC NAND。

Marvell控制芯片均采用的是28nm制造工艺，相比慧荣、群联等55nm工艺，具有成本和技术优势。Marvell 88SS1074支持15nm 2D NAND Flash和3D NAND Flash，采用Marvell较为成熟的第三代LDPC纠错技术，提高3D TLC NAND Flash的使用寿命，为TLC SSD提供高品质的控制芯片。

MX300系列SSD性能方面，SATAIII（6Gbps）接口，顺序读写将高达530MB/s和510MB/s，4K随机读写高达93K IOPS 和83K IOPS，质保期为3年。